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PUMH1,115  与  MUN5212DW1T1G  区别

型号 PUMH1,115 MUN5212DW1T1G
唯样编号 A-PUMH1,115 A36-MUN5212DW1T1G
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 达林顿晶体管
描述 PUMH1 Series 40 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-363 SC-88
VCBO 50V -
工作温度 -65℃~150℃ -
VEBO 10V -
晶体管类型 NPN/NPN -
功率耗散Pd 300mW -
特征频率fT 230MHz -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
集电极-射极饱和电压 150mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
FET类型 - NPN
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
尺寸 2.1*1.25*0.95 -
集电极连续电流 100mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
直流电流增益hFE 60 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
库存与单价
库存 30,000 4,761
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
570+ :  ¥0.2245
1,000+ :  ¥0.174
1,500+ :  ¥0.1426
3,000+ :  ¥0.1262
120+ :  ¥0.4446
200+ :  ¥0.286
3,000+ :  ¥0.255
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PUMH1,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH1_SOT-363

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
30,000 当前型号
DCX124EUQ-13-F Diodes Incorporated  数据手册 车规

¥0.6908 

阶梯数 价格
80: ¥0.6908
100: ¥0.5642
500: ¥0.5122
2,500: ¥0.4745
5,000: ¥0.4433
10,000: ¥0.4147
20,000 对比
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

¥0.4446 

阶梯数 价格
120: ¥0.4446
200: ¥0.286
3,000: ¥0.255
4,761 对比
DCX124EUQ-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5161
1,500: ¥0.4485
2,945 对比
IMH1AT110 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-457

¥2.4636 

阶梯数 价格
1: ¥2.4636
100: ¥1.3969
1,500: ¥0.8856
3,000: ¥0.6598
100 对比
IMH1AT110 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-457

暂无价格 100 对比

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