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PSMN8R7-80BS,118  与  IRFS4410PBF  区别

型号 PSMN8R7-80BS,118 IRFS4410PBF
唯样编号 A-PSMN8R7-80BS,118 A-IRFS4410PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK Single N-Channel 100 V 200 W 120 nC Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@58A,10V
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 170W 200W(Tc)
输出电容 296pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 90A 96A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 3346pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5150pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.7mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5150pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥7.3073
400+ :  ¥6.1926
800+ :  ¥5.6813
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN8R7-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R7-80BS_SOT404

¥7.3073 

阶梯数 价格
210: ¥7.3073
400: ¥6.1926
800: ¥5.6813
0 当前型号
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阶梯数 价格
1: ¥6.0816
100: ¥4.3824
400: ¥3.7722
800: ¥2.98
800 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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