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PSMN8R0-40PS,127  与  IRL1404ZPBF  区别

型号 PSMN8R0-40PS,127 IRL1404ZPBF
唯样编号 A-PSMN8R0-40PS,127 A-IRL1404ZPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB Single N-Channel 40 V 5.9 mOhm 110 nC 230 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.1mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 86W 230W(Tc)
输出电容 327pF -
栅极电压Vgs 3V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 77A 200A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.7V @ 250µA
输入电容 1262pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5080pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 7.6mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5080pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥6.4837
50+ :  ¥5.3145
暂无价格
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¥6.4837 

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