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PSMN5R0-80PS,127  与  IRF3808PBF  区别

型号 PSMN5R0-80PS,127 IRF3808PBF
唯样编号 A-PSMN5R0-80PS,127 A36-IRF3808PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB Single N-Channel 75 V 330 W 220 nC Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ
Qg-栅极电荷 - 150nC
栅极电压Vgs 3V 20V
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 140A
配置 - Single
输入电容 6793pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 80V 75V
Pd-功率耗散(Max) 270W 330W
输出电容 913pF -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.7mΩ@10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
库存与单价
库存 0 138
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥13.3875
50+ :  ¥10.9734
8+ :  ¥6.71
100+ :  ¥5.368
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN5R0-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R0-80PS_SOT78

¥13.3875 

阶梯数 价格
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IRFB4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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