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PSMN3R3-60PLQ  与  IRFB7734PBF  区别

型号 PSMN3R3-60PLQ IRFB7734PBF
唯样编号 A-PSMN3R3-60PLQ A-IRFB7734PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB Single N-Ch 75 V 183 A 3.5 mOhm 180 nC Flange Mount HEXFET Power Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.5mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 293W 290W(Tc)
输出电容 822pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 130A 183A
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
输入电容 10115pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10150pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.8mΩ@4.5V,3.4mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10150pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥13.1193
50+ :  ¥10.7535
暂无价格
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