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PSMN3R0-60BS,118  与  IRLS3036PBF  区别

型号 PSMN3R0-60BS,118 IRLS3036PBF
唯样编号 A-PSMN3R0-60BS,118 A-IRLS3036PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 380W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 306W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 11210pF @ 50V
输出电容 971pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 4.5V
输入电容 8079pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.4 毫欧 @ 165A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 195A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.2mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥13.2728
400+ :  ¥11.2481
800+ :  ¥10.3194
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R0-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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