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PSMN2R2-40BS,118  与  IPB100N04S4-H2  区别

型号 PSMN2R2-40BS,118 IPB100N04S4-H2
唯样编号 A-PSMN2R2-40BS,118 A-IPB100N04S4-H2
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.1mΩ
上升时间 - 13ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 306W 115W
Qg-栅极电荷 - 90nC
输出电容 1671pF -
栅极电压Vgs 3V 20V
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A 100A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS-T2
输入电容 8423pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 2.2mΩ@10V -
下降时间 - 21ns
典型接通延迟时间 - 18ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥12.9815
400+ :  ¥11.0013
800+ :  ¥10.0929
暂无价格
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