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PSMN2R0-60PS,127  与  TK100E06N1,S1X  区别

型号 PSMN2R0-60PS,127 TK100E06N1,S1X
唯样编号 A-PSMN2R0-60PS,127 A-TK100E06N1,S1X
制造商 Nexperia Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB MOSFET N CH 60V 100A TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 338W 255W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.3 毫欧 @ 50A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 10500 pF @ 30 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
输出电容 1210pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 140 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT78 TO-220
工作温度 175℃ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 100A(Ta)
输入电容 9997pF -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2.2mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥17.8837
50+ :  ¥14.6588
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