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PSMN015-60BS,118  与  STB60NF06LT4  区别

型号 PSMN015-60BS,118 STB60NF06LT4
唯样编号 A-PSMN015-60BS,118 A-STB60NF06LT4
制造商 Nexperia STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.35 mm
正向跨导-最小值 - 20 S
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ@30A,10V
上升时间 - 220 ns
栅极电压Vgs 3V ±15V
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -65°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 60A
配置 - Single
输入电容 1220pF -
长度 - 10.4 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
下降时间 - 30 ns
高度 - 4.6 mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 86W 110W(Tc)
输出电容 169pF -
典型关闭延迟时间 - 55 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - STB
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 66nC @ 4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 14.8mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 35 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥5.2387
400+ :  ¥4.4396
800+ :  ¥4.073
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN015-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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¥5.2387 

阶梯数 价格
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