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PSMN013-100PS,127  与  IRFB4410ZPBF  区别

型号 PSMN013-100PS,127 IRFB4410ZPBF
唯样编号 A-PSMN013-100PS,127 A-IRFB4410ZPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PSMN Series 100 V 25 mOhm 170 W N-Channel Standard Level Mosfet - TO-220-3 N-Channel 100 V 9 mO 83 nC Flange Mount Hexfet Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ@58A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 170W 230W(Tc)
输出电容 221pF -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 68A 97A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 3195pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4820pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 13.9mΩ@15A,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4820pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥9.4602
50+ :  ¥7.7543
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN013-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100PS_TO-220 N-Channel 170W -55°C~175°C ±20V 100V 68A

¥9.4602 

阶梯数 价格
20: ¥9.4602
50: ¥7.7543
0 当前型号
STP30NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 40,000 对比
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 18,000 对比
STP40NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 1,000 对比
IRF530NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB N-Channel 70W 90mΩ@ 9A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 17A

暂无价格 1,000 对比
IRFB4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比

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