首页 > 商品目录 > > > > PSMN005-75P,127代替型号比较

PSMN005-75P,127  与  IRFB3306GPBF  区别

型号 PSMN005-75P,127 IRFB3306GPBF
唯样编号 A-PSMN005-75P,127 A-IRFB3306GPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3306GPBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.83mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 3V -
封装/外壳 SOT78 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 160A
输入电容 8250pF -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
高度 - 16.51mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 40 ns
漏源极电压Vds 75V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 230W 230W
晶体管配置 -
输出电容 920pF -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 5mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 15 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥14.0254
50+ :  ¥11.4962
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN005-75P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN005-75P_SOT78

¥14.0254 

阶梯数 价格
20: ¥14.0254
50: ¥11.4962
0 当前型号
IRFB3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比
AUIRF2805STRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

6.5mm

暂无价格 0 对比
IRF1405Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO220

暂无价格 0 对比
IRFB3306GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.67mm

暂无价格 0 对比
IPP80N06S2L-H5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP80N06S2LH5AKSA2_TO-220

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售