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PSMN004-60B,118  与  AUIRFS3206  区别

型号 PSMN004-60B,118 AUIRFS3206
唯样编号 A-PSMN004-60B,118 A-AUIRFS3206
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3206, 120 A,210 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 3V -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 120A,210A
输入电容 8300pF -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 55 ns
漏源极电压Vds 60V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 230W 300W
晶体管配置 -
输出电容 1050pF -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 3.6mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 19 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥11.8159
400+ :  ¥10.0135
800+ :  ¥9.1867
暂无价格
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