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PH2925U,115  与  IRLR6225PBF  区别

型号 PH2925U,115 IRLR6225PBF
唯样编号 A-PH2925U,115 A-IRLR6225PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR6225PBF, 100 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.2mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 0.5V
栅极电压Vgs 0.7V -
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 150℃ -50°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 100A
输入电容 6150pF -
长度 - 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3770pF @ 10V
高度 - 2.39mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 63 ns
漏源极电压Vds 25V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 62.5W 63W
晶体管配置 -
输出电容 1170pF -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 4.2mΩ@2.5V,3mΩ@4.5V -
典型接通延迟时间 - 9.7 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
380+ :  ¥4.6239
750+ :  ¥3.7901
1,500+ :  ¥3.4772
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PH2925U,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PH2925U_SOT669 N-Channel 62.5W 150℃ 0.7V 25V 100A

¥4.6239 

阶梯数 价格
380: ¥4.6239
750: ¥3.7901
1,500: ¥3.4772
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IRLR6225PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-50°C~150°C(TJ) 100A 5.2mΩ 63W

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