首页 > 商品目录 > > > > PEMB3,115代替型号比较

PEMB3,115  与  RN2910FE,LF(CT  区别

型号 PEMB3,115 RN2910FE,LF(CT
唯样编号 A-PEMB3,115 A-RN2910FE,LF(CT
制造商 Nexperia Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 300mW -
功率 - 100mW
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
集电极-射极饱和电压 -100mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 4.7 千欧
封装/外壳 SOT-666 ES6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
VCBO -50V -
工作温度 -65℃~150℃ -
频率-跃迁 - 200MHz
VEBO -5V -
尺寸 1.6*1.2*0.55 -
集电极连续电流 -100mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 120 @ 1mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 200 -
集电极-发射极最大电压VCEO -50V -
晶体管类型 PNP/PNP 2 个 PNP 预偏压式(双)
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
750+ :  ¥0.7645
1,000+ :  ¥0.5926
2,000+ :  ¥0.4857
4,000+ :  ¥0.4298
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PEMB3,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PEMB3_SOT-666 300mW PNP/PNP -50V -100mA -100mV 200

¥0.7645 

阶梯数 价格
750: ¥0.7645
1,000: ¥0.5926
2,000: ¥0.4857
4,000: ¥0.4298
0 当前型号
EMB3T2R ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-563 150mW PNP -50V -100mA -300mV 100 250MHz

¥2.6189 

阶梯数 价格
1: ¥2.6189
100: ¥1.4849
1,000: ¥0.7603
4,000: ¥0.5155
8,000: ¥0.3897
100 对比
EMB3T2R ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-563 150mW PNP -50V -100mA -300mV 100 250MHz

暂无价格 100 对比
EMB3T2R ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-563 150mW PNP -50V -100mA -300mV 100 250MHz

暂无价格 100 对比
RN2910FE,LF(CT Toshiba 通用三极管

ES6 2 个 PNP 预偏压式(双)

暂无价格 0 对比
EMB3T2R ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-563 150mW PNP -50V -100mA -300mV 100 250MHz

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消