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NVMFWS2D3P04M8LT1G  与  RS1G201ATTB1  区别

型号 NVMFWS2D3P04M8LT1G RS1G201ATTB1
唯样编号 A-NVMFWS2D3P04M8LT1G A3-RS1G201ATTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3W(Ta),40W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
产品特性 车规 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6890pF @ 20V
FET类型 - P 通道
封装/外壳 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 8-HSOP
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.2 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20A(Ta),78A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NVMFWS2D3P04M8LT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

暂无价格 0 当前型号
NVMFS2D3P04M8LT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

暂无价格 0 对比
RS1G201ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP

¥14.5557 

阶梯数 价格
20: ¥14.5557
50: ¥10.0137
100: ¥9.4483
233 对比
RS1G201ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP

暂无价格 30 对比
RS1G201ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP

暂无价格 0 对比

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