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NVMFS5C670NT1G  与  RS6L120BGTB1  区别

型号 NVMFS5C670NT1G RS6L120BGTB1
唯样编号 A-NVMFS5C670NT1G A3-RS6L120BGTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 5-DFN(5x6)(8-SOFL) HSOP8 (Single)
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 120A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.7mΩ@90A,10V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 104W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NVMFS5C670NT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

暂无价格 0 当前型号
NTMFS5C670NT1G ON Semiconductor 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 0 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥11.8535 

阶梯数 价格
20: ¥11.8535
50: ¥7.321
100: ¥6.7556
500: ¥6.3723
1,000: ¥6.2957
1,820 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥14.7953 

阶梯数 价格
20: ¥14.7953
50: ¥10.2532
100: ¥9.6879
500: ¥9.3141
1,000: ¥9.2375
1,530 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

暂无价格 100 对比

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