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NTTFS4C10NTWG  与  IRFHM8329TRPBF  区别

型号 NTTFS4C10NTWG IRFHM8329TRPBF
唯样编号 A-NTTFS4C10NTWG A-IRFHM8329TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 6.1 mO 26 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.1mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.6W(Ta),33W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 8-WDFN(3.3x3.3) PQFN(3x3)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 16A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1710pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1710pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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