首页 > 商品目录 > > > > NTR4171PT1G代替型号比较

NTR4171PT1G  与  AO3421E  区别

型号 NTR4171PT1G AO3421E
唯样编号 A-NTR4171PT1G A36-AO3421E
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 27.5
宽度 1.3 mm -
正向跨导-最小值 7 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@2.2A,10V 95mΩ@10V
上升时间 16 ns -
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 160mΩ
Qgd(nC) - 1.2
栅极电压Vgs ±12V 20V
Td(on)(ns) - 8
封装/外壳 SOT-23 SOT23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) -3A
配置 Single -
Ciss(pF) - 215
长度 2.9 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V -
下降时间 22 ns -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA -
Schottky Diode - No
高度 0.94 mm -
Trr(ns) - 9
Td(off)(ns) - 13.5
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 480mW(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 16
VGS(th) - -2.5
典型关闭延迟时间 32 ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 NTR4171P -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V -
典型接通延迟时间 9 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V -
Coss(pF) - 46.5
Qg*(nC) - 2.2
库存与单价
库存 0 5,547
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6391
200+ :  ¥0.52
1,500+ :  ¥0.4732
3,000+ :  ¥0.442
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 0 当前型号
ZXM61P02FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.7876 

阶梯数 价格
70: ¥0.7876
200: ¥0.6422
1,500: ¥0.585
3,000: ¥0.546
27,633 对比
SI3401A-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.2445 

阶梯数 价格
210: ¥0.2445
1,500: ¥0.2115
3,000: ¥0.1875
11,455 对比
DMP3098L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.3926 

阶梯数 价格
130: ¥0.3926
200: ¥0.2925
1,500: ¥0.255
3,000: ¥0.225
10,497 对比
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
5,547 对比
FDN352AP ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 1,639 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售