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NTNS3A65PZT5G  与  DMP210DUFB4-7  区别

型号 NTNS3A65PZT5G DMP210DUFB4-7
唯样编号 A-NTNS3A65PZT5G A3-DMP210DUFB4-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.3Ω@200mA,4.5V 5Ω@100mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 155mW(Ta) 350mW(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SC-101,SOT-883 X2-DFN
连续漏极电流Id 281mA(Ta) 0.2A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 175pF @ 15V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V 1.2V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 44pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.1nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTNS3A65PZT5G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SC-101,SOT-883

暂无价格 0 当前型号
DMP210DUFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

X2-DFN

暂无价格 55 对比
DMP210DUFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

X2-DFN

暂无价格 0 对比
DMP210DUFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

X2-DFN

暂无价格 0 对比

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