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MMBD4448HW-7-F  与  BAS16E6327HTSA1  区别

型号 MMBD4448HW-7-F BAS16E6327HTSA1
唯样编号 A-MMBD4448HW-7-F A-BAS16E6327HTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 整流二极管 RF二极管
描述 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr 80V -
不同If时电压-正向(Vf) - 1.25V @ 150mA
反向恢复时间Trr 4ns -
不同 Vr、F时电容 - 2pF @ 0V,1MHz
电流-平均整流(Io) - 250mA(DC)
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
反向漏电流Ir 100nA -
正向电压Vf 1.25V -
正向电流If 250mA -
不同Vr时电流-反向泄漏 - 1uA @ 75V
二极管类型 - 标准
速度 - 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
工作温度-结 -65℃~150℃ 150°C(最大)
反向恢复时间(trr) - 4ns
电压-DC反向(Vr)(最大值) - 80V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMBD4448HW-7-F Diodes Incorporated  数据手册 整流二极管

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
MMBD4448H-7-F Diodes Incorporated  数据手册 整流二极管

SOT-23

¥0.7271 

阶梯数 价格
70: ¥0.7271
200: ¥0.286
307 对比
BAS16E6327HTSA1 Infineon  数据手册 RF二极管

BAS 16 E6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BAL99E6433HTMA1 Infineon  数据手册 整流二极管

BAL 99 E6433_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BAS21E6327HTSA1 Infineon  数据手册 RF二极管

BAS 21 E6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
MMBD4448H-7 Diodes Incorporated  数据手册 整流二极管

SOT-23

暂无价格 0 对比

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