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IRLR8726TRLPBF  与  FDD8896  区别

型号 IRLR8726TRLPBF FDD8896
唯样编号 A-IRLR8726TRLPBF A32-FDD8896
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 5.7 mOhm PowerTrench Mosfet TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 80W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.8mΩ@25A,10V 5.7 毫欧 @ 35A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) 80W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 86A(Tc) 17A(Ta),94A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V -
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2525pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2150pF @ 15V 2525pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V 60nC @ 10V
库存与单价
库存 0 6
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR8726TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 86A(Tc) ±20V 75W(Tc) 5.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 当前型号
IRLR8726TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 75W(Tc) 5.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 86A

暂无价格 2,000 对比
FDD8896 ON Semiconductor 通用MOSFET

80W(Tc) 5.7m Ohms@35A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 17A N-Channel 30V 17A(Ta),94A(Tc) ±20V 5.7 毫欧 @ 35A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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阶梯数 价格
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