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IRLR3915TRPBF  与  STD60NF55LT4  区别

型号 IRLR3915TRPBF STD60NF55LT4
唯样编号 A-IRLR3915TRPBF A3-STD60NF55LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 17 mOhm 92 nC 120 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@30A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 120W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 61A -
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 92nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 92nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 5,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3915TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

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10: ¥10.9719
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1,000: ¥6.3002
1,250: ¥5.1641
2,500: ¥4.7377
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¥12.6646 

阶梯数 价格
400: ¥12.6646
1,000: ¥9.3812
1,250: ¥7.3291
2,500: ¥6.0074
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STD60NF55LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

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