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IRLR2908TRPBF  与  STD30NF06LT4  区别

型号 IRLR2908TRPBF STD30NF06LT4
唯样编号 A-IRLR2908TRPBF A3-STD30NF06LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 80 V 30 mOhm 33 nC 120 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 28mΩ@23A,10V -
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 120W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 39A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1890pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1890pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 45,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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20: ¥3.135
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