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IRLR2703TRPBF  与  DMN4040SK3-13  区别

型号 IRLR2703TRPBF DMN4040SK3-13
唯样编号 A-IRLR2703TRPBF A36-DMN4040SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.065 Ohm 15 nC 45 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ@14A,10V -
漏源极电压Vds 30V 40V
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 1.71W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 30mΩ@12A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 945 pF @ 20 V
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 18.6 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 23A 6A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 1,049
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR2703TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
DMN4040SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,049 对比
STD17NF03LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO252

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AOD4102L AOS 功率MOSFET

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