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IRLR120NTRPBF  与  DMN10H170SK3-13  区别

型号 IRLR120NTRPBF DMN10H170SK3-13
唯样编号 A-IRLR120NTRPBF A36-DMN10H170SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 100V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 185mΩ@6A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 48W(Tc) 42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 140mΩ@5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1167 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.7 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 10A 12A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
库存与单价
库存 2,000 2,337
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
1,250+ :  ¥1.0384
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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TO-252-3

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0384
2,337 对比
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阶梯数 价格
490: ¥5.6376
1,000: ¥4.3702
1,250: ¥3.5821
2,500: ¥3.2863
0 对比

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