首页 > 商品目录 > > > > IRLR120NTRLPBF代替型号比较

IRLR120NTRLPBF  与  IRLR120NTRPBF  区别

型号 IRLR120NTRLPBF IRLR120NTRPBF
唯样编号 A-IRLR120NTRLPBF A36-IRLR120NTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - DPAK Single N-Channel 100V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 185mΩ@6A,10V 185mΩ@6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 48W(Tc) 48W(Tc)
栅极电压Vgs ±16V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 10A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V 440pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V 20nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V 440pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V 20nC @ 5V
库存与单价
库存 0 2,688
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.079
100+ :  ¥1.606
1,000+ :  ¥1.331
2,000+ :  ¥1.111
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR120NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
IRLR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.079 

阶梯数 价格
30: ¥2.079
100: ¥1.606
1,000: ¥1.331
2,000: ¥1.111
2,688 对比
IRLR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
AUIRLR120NTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售