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IRLML2803TRPBF  与  AO3424  区别

型号 IRLML2803TRPBF AO3424
唯样编号 A-IRLML2803TRPBF A36-AO3424-1
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 540 W 3.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 18
Rds On(Max)@Id,Vgs 250mΩ@910mA,10V 55mΩ@3.8A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 65mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 85mΩ
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs ±20V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
Td(on)(ns) - 3.5
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 1.2A 3.8A
Ciss(pF) - 235
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V -
Trr(ns) - 8.5
Td(off)(ns) - 17.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 540mW(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 2.6
VGS(th) - 1.5
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 10V -
Coss(pF) - 35
Qg*(nC) - 4.7
库存与单价
库存 0 6,488
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.5752
200+ :  ¥0.468
1,500+ :  ¥0.4259
3,000+ :  ¥0.3978
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2803TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5837 

阶梯数 价格
90: ¥0.5837
200: ¥0.3757
1,500: ¥0.3276
3,000: ¥0.2899
18,634 对比
ZXM61N03FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.9757 

阶梯数 价格
60: ¥0.9757
200: ¥0.6732
1,500: ¥0.6116
3,000: ¥0.572
13,674 对比
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.5752 

阶梯数 价格
90: ¥0.5752
200: ¥0.468
1,500: ¥0.4259
3,000: ¥0.3978
6,488 对比
DMN3300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
1,990 对比
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.4995 

阶梯数 价格
1: ¥0.4995
25: ¥0.4305
100: ¥0.3711
832 对比

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