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IRLML2060TRPBF  与  ZXMN6A07FTA  区别

型号 IRLML2060TRPBF ZXMN6A07FTA
唯样编号 A-IRLML2060TRPBF A36-ZXMN6A07FTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 1.25 W 0.67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.4 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 480mΩ@1.2A,10V 250mΩ@1.8A,10V
上升时间 - 1.4 ns
栅极电压Vgs ±16V ±20V
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.2A 1.2A
配置 - Single
长度 - 3.04 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 64pF @ 25V -
高度 - 1.02 mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 625mW(Ta)
典型关闭延迟时间 - 4.9 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® ZXMN
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 64pF @ 25V 166pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.67nC @ 4.5V 3.2nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 1.8 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) .67nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 5,849
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.891
200+ :  ¥0.6138
1,500+ :  ¥0.5577
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
2N7002-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.2475 

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138,995 对比
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3.04mm SOT-23

¥0.891 

阶梯数 价格
60: ¥0.891
200: ¥0.6138
1,500: ¥0.5577
5,849 对比
2N7002-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.3599 

阶梯数 价格
1: ¥0.3599
100: ¥0.2322
1,000: ¥0.172
1,500: ¥0.1433
3,000: ¥0.112
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2N7002-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

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阶梯数 价格
1: ¥1.8252
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AO3460 AOS  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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