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IRLML0060TRPBF  与  DMN6075S-7  区别

型号 IRLML0060TRPBF DMN6075S-7
唯样编号 A-IRLML0060TRPBF A-DMN6075S-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 116 mOhm 2.5 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.7A,10V 85mΩ@3.2A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 800mW(Ta)
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.7A 2.5A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 25V 606pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V 12.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML0060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 当前型号
DMN6075S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
200: ¥0.4056
1,500: ¥0.3523
3,000: ¥0.312
4,522 对比
DMN6075S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
DMN6075S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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