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IRLL024NTRPBF  与  AUIRLL024NTR  区别

型号 IRLL024NTRPBF AUIRLL024NTR
唯样编号 A-IRLL024NTRPBF A-AUIRLL024NTR
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@3.1A,10V 65mΩ@3.1A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±16V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.4A 3.1A(Ta)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V 510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 5V 15.6nC @ 5V
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLL024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 65mΩ@3.1A,10V N-Channel 55V 4.4A SOT-223

暂无价格 2,500 当前型号
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

¥1.0043 

阶梯数 价格
50: ¥1.0043
200: ¥0.6919
2,000: ¥0.6303
4,000: ¥0.5874
11,647 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
1,000: ¥1.0417
2,000: ¥0.9471
4,000: ¥0.869
4,169 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 0 对比
AUIRLL024NTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 3.1A(Ta) ±16V 1W(Ta) 65mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT223 车规

暂无价格 0 对比

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