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IRLB3036PBF  与  IPP120N06S4H1AKSA1  区别

型号 IRLB3036PBF IPP120N06S4H1AKSA1
唯样编号 A-IRLB3036PBF A-IPP120N06S4H1AKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 380 W 91 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 250W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4mΩ@165A,10V -
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 21900pF @ 25V
栅极电压Vgs ±16V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 270A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.4 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 380W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 200uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLB3036PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

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PSMN7R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
20: ¥8.6807
50: ¥7.1153
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