首页 > 商品目录 > > > > IRL3705ZSTRLPBF代替型号比较

IRL3705ZSTRLPBF  与  STB75NF75LT4  区别

型号 IRL3705ZSTRLPBF STB75NF75LT4
唯样编号 A-IRL3705ZSTRLPBF A3-STB75NF75LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 12 mOhm 60 nC 130 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@52A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 86A -
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL3705ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PSMN008-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN008-75B_SOT404

¥8.1143 

阶梯数 价格
210: ¥8.1143
400: ¥6.8765
800: ¥6.3087
0 对比
BUK7610-55AL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-55AL_SOT404

¥17.5299 

阶梯数 价格
190: ¥17.5299
400: ¥13.4845
800: ¥11.9332
0 对比
IPB50N10S3L-16 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB50N10S3L16ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售