首页 > 商品目录 > > > > IRL3705NPBF代替型号比较

IRL3705NPBF  与  IPP093N06N3GXKSA1  区别

型号 IRL3705NPBF IPP093N06N3GXKSA1
唯样编号 A-IRL3705NPBF A-IPP093N06N3GXKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 170 W 65.3 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@46A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 30V
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 89A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 34uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 5V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9.3 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL3705NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 24,000 对比
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥7.711 

阶梯数 价格
7: ¥7.711
100: ¥6.523
220 对比
STP65NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP084N06L3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP084N06L3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP093N06N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP093N06N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售