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IRL1404ZSTRLPBF  与  BUK963R1-40E,118  区别

型号 IRL1404ZSTRLPBF BUK963R1-40E,118
唯样编号 A-IRL1404ZSTRLPBF A-BUK963R1-40E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 230 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 234W
输出电容 - 875pF
栅极电压Vgs ±16V 1.7V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 200A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5080pF @ 25V -
输入电容 - 6870pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.1mΩ@5V,2.7mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5080pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥10.851
400+ :  ¥9.1958
800+ :  ¥8.4365
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阶梯数 价格
210: ¥10.851
400: ¥9.1958
800: ¥8.4365
0 对比

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