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IRFSL4410ZPBF  与  IPI086N10N3GXKSA1  区别

型号 IRFSL4410ZPBF IPI086N10N3GXKSA1
唯样编号 A-IRFSL4410ZPBF A-IPI086N10N3GXKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@58A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3980pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-262 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 97A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 55nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.6 毫欧 @ 73A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 75uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFSL4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-262

暂无价格 0 当前型号
IPI086N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI086N10N3 G_N 通道 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPI076N12N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI076N12N3GAKSA1_120V 100A 7.6mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C

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IPI072N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI072N10N3GXKSA1_100V 80A 7.2mΩ 20V 150W N-Channel -55°C~175°C

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IPI086N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IPI072N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI072N10N3 G_N 通道 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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