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IRFS3207TRLPBF  与  IPB049NE7N3GATMA1  区别

型号 IRFS3207TRLPBF IPB049NE7N3GATMA1
唯样编号 A-IRFS3207TRLPBF A-IPB049NE7N3GATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF @ 37.5V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 180A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.9 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 75V -
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.8V @ 91uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 75V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3207TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 30,000 对比
BUK964R4-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK964R4-40B_SOT404

¥11.5513 

阶梯数 价格
210: ¥11.5513
400: ¥9.7892
800: ¥8.9809
0 对比
IPB049NE7N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB049NE7N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB049NE7N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB049NE7N3GATMA1_10mm

暂无价格 0 对比

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