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IRFRC20TRPBF  与  STD2HNK60Z  区别

型号 IRFRC20TRPBF STD2HNK60Z
唯样编号 A-IRFRC20TRPBF A3-STD2HNK60Z
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 4.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - DPAK (TO-252) N-Channel 600 V 4.8 Ohm Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.4Ω@1.2A,10V 4.8Ω@1A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),42W(Tc) 45W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK DPAK
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A 2A
系列 - SuperMESH™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V 280pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V 15nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
库存与单价
库存 0 22,500
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFRC20TRPBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
STD3NK60ZT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 32,500 对比
STD2HNK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 22,500 对比
STD2LN60K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 12,500 对比
STD3NK60ZT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥3.047 

阶梯数 价格
20: ¥3.047
100: ¥2.354
1,250: ¥2.035
2,500: ¥1.925
2,727 对比
NDD04N60ZT4G ON Semiconductor 功率MOSFET

DPAK

¥0.6499 

阶梯数 价格
1: ¥0.6499
2: ¥0.5979
4: ¥0.5502
2,500 对比

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