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IRFR9120NTRLPBF  与  IRFR9120NTRPBF  区别

型号 IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRPBF
唯样编号 A-IRFR9120NTRLPBF A36-IRFR9120NTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 100 V 40 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA Single P-Channel 100 V 0.48 Ohm 27 nC 40 W Surface Mount Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 480mΩ@3.9A,10V 480mΩ@3.9A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 40W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 D-Pak D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.6A 6.6A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V 350pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V 27nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V 350pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V 27nC @ 10V
库存与单价
库存 0 16,223
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.233
100+ :  ¥1.716
1,000+ :  ¥1.496
2,000+ :  ¥1.408
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¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.716
1,000: ¥1.496
2,000: ¥1.408
16,223 对比
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