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IRFR3504ZTRPBF  与  BUK9209-40B,118  区别

型号 IRFR3504ZTRPBF BUK9209-40B,118
唯样编号 A-IRFR3504ZTRPBF A-BUK9209-40B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 90 W 30 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@42A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 90W(Tc) 167W
输出电容 - 481pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak SOT428
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 185℃
连续漏极电流Id 77A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1510pF @ 25V -
输入电容 - 2714pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V,9mΩ@5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1510pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
400+ :  ¥15.7021
1,000+ :  ¥10.829
1,250+ :  ¥9.1771
2,500+ :  ¥7.5222
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3504ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 90W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@42A,10V N-Channel 40V 77A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
IPD50N03S2L-06 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L06ATMA1_30V 50A 6.4mΩ 20V 136W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
BUK9209-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9209-40B_SOT428 N-Channel 167W 185℃ 1.5V 40V 75A

¥15.7021 

阶梯数 价格
400: ¥15.7021
1,000: ¥10.829
1,250: ¥9.1771
2,500: ¥7.5222
0 对比
IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L-06_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比
IPD50N06S409ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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