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IRFR3410TRPBF  与  RD3P200SNFRATL  区别

型号 IRFR3410TRPBF RD3P200SNFRATL
唯样编号 A-IRFR3410TRPBF A33-RD3P200SNFRATL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 39 mOhm 56 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@18A,10V 46mΩ
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),110W(Tc) 20W
Qg-栅极电荷 - 55 nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 31A 20A
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1 Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1690pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1690pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,000 2,455
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥66.5977
10+ :  ¥15.4948
50+ :  ¥10.5407
100+ :  ¥9.9178
500+ :  ¥9.5058
1,000+ :  ¥9.4291
2,000+ :  ¥9.3621
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 2,000 当前型号
RD3P200SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥66.5977 

阶梯数 价格
3: ¥66.5977
10: ¥15.4948
50: ¥10.5407
100: ¥9.9178
500: ¥9.5058
1,000: ¥9.4291
2,000: ¥9.3621
2,455 对比
BUK7240-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7240-100A_SOT428

¥7.9179 

阶梯数 价格
490: ¥7.9179
1,000: ¥6.1379
1,250: ¥5.0311
2,500: ¥4.6157
0 对比
RD3P200SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
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BUK7240-100A_SOT428

暂无价格 0 对比
BUK9240-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9240-100A_SOT428

¥7.9179 

阶梯数 价格
490: ¥7.9179
1,000: ¥6.1379
1,250: ¥5.0311
2,500: ¥4.6157
0 对比

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