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IRFR2407TRPBF  与  RD3L220SNFRATL  区别

型号 IRFR2407TRPBF RD3L220SNFRATL
唯样编号 A-IRFR2407TRPBF A-RD3L220SNFRATL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 110 W 74 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 26mΩ@25A,10V 26mΩ
漏源极电压Vds 75V 60V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 20W
Qg-栅极电荷 - 30 nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 42A 22A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
通道数量 - 1 Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR2407TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
RD3L220SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥13.6741 

阶梯数 价格
20: ¥13.6741
50: ¥9.1225
100: ¥7.2923
440 对比
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
RD3L220SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
BUK9226-75A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9226-75A_SOT428

¥9.8859 

阶梯数 价格
450: ¥9.8859
1,000: ¥7.3229
1,500: ¥6.0024
2,500: ¥5.3119
0 对比

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