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IRFR2405TRPBF  与  IPD35N10S3L26ATMA1  区别

型号 IRFR2405TRPBF IPD35N10S3L26ATMA1
唯样编号 A-IRFR2405TRPBF A-IPD35N10S3L26ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 55 V 110 W 70 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@34A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2700pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 56A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 24 毫欧 @ 35A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2430pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 39uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2430pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 35A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR2405TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 16mΩ@34A,10V N-Channel 55V 56A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
STD60NF55LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
BUK9222-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9222-55A_SOT428 N-Channel 103W 175℃ 1.5V 55V 48A

¥10.511 

阶梯数 价格
400: ¥10.511
1,000: ¥7.786
1,250: ¥6.0828
2,500: ¥4.9859
0 对比
BUK7219-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7219-55A_SOT428 N-Channel 114W 175℃ 3V 55V 55A

暂无价格 0 对比
STD60NF55LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD35N10S3L-26 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L26ATMA1_100V 35A 24mΩ 10V 71W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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