首页 > 商品目录 > > > > IRFR024NT代替型号比较

IRFR024NT  与  AUIRFR024NTRL  区别

型号 IRFR024NT AUIRFR024NTRL
唯样编号 A-IRFR024NT-1 A-AUIRFR024NTRL
制造商 XBLW Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 75mΩ
上升时间 - 34ns
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 45W
Qg-栅极电荷 - 20nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 4.5S
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-2L -
连续漏极电流Id - 17A
工作温度 - -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuintSource
长度 - 6.5mm
下降时间 - 27ns
典型接通延迟时间 - 4.9ns
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR024NT XBLW  数据手册 功率MOSFET

TO-252-2L

暂无价格 0 当前型号
AUIRFR024NTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

6.5mm

暂无价格 0 对比
IRFR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售