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IRFL4310TRPBF  与  DMN10H220LE-13  区别

型号 IRFL4310TRPBF DMN10H220LE-13
唯样编号 A-IRFL4310TRPBF A36-DMN10H220LE-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@1.6A,10V 220mΩ@1.6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1.8W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.2A 2.3A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V 401pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V 8.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 3,562
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.034
100+ :  ¥0.6897
1,250+ :  ¥0.627
2,500+ :  ¥0.5808
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¥1.034 

阶梯数 价格
50: ¥1.034
100: ¥0.6897
1,250: ¥0.627
2,500: ¥0.5808
3,562 对比
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