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IRFL4105TRPBF  与  DMN6068SE-13  区别

型号 IRFL4105TRPBF DMN6068SE-13
唯样编号 A-IRFL4105TRPBF A36-DMN6068SE-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 2.1 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ@3.7A,10V 68mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.2A 5.6A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V 502pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V 10.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 3,447
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.089
100+ :  ¥0.8382
1,000+ :  ¥0.6974
2,000+ :  ¥0.6336
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFL4105TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 45mΩ@3.7A,10V N-Channel 55V 5.2A SOT-223

暂无价格 0 当前型号
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

¥1.089 

阶梯数 价格
50: ¥1.089
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.6974
2,000: ¥0.6336
3,447 对比
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

暂无价格 0 对比
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

暂无价格 0 对比

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