首页 > 商品目录 > > > > IRFI4321PBF代替型号比较

IRFI4321PBF  与  IRFI4228PBF  区别

型号 IRFI4321PBF IRFI4228PBF
唯样编号 A-IRFI4321PBF A-IRFI4228PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 46 W 73 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB Single N-Channel 150 V 46 W 73 nC Hexfet Power Mosfet - TO-220AB Full-Pak
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@20A,10V 16mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 46W(Tc) 46W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 34A 34A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4440pF @ 50V 4560pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4440pF 4560pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC 110nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFI4321PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 46W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@20A,10V N-Channel 150V 34A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRFI4228PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 46W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 16mΩ@20A,10V N-Channel 150V 34A TO-220AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消