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IRFH9310TRPBF  与  IRF9383MTRPBF  区别

型号 IRFH9310TRPBF IRF9383MTRPBF
唯样编号 A-IRFH9310TRPBF A-IRF9383MTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF9383 Series 30 V 2.9 mOhm DirectFET® P-Channel Power MOSFET - DIRECTFET™ MX
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@21A,10V 2.9mΩ@22A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta) 2.1W(Ta),113W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 PQFN 5X6 8L DIRECTFET™ MX
连续漏极电流Id 21A(Ta),40A(Tc) 22A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7305pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100µA 2.4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5250pF @ 15V 7305pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 4.5V 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH9310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 21A(Ta),40A(Tc) ±20V 3.1W(Ta) 4.6mΩ@21A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L

暂无价格 0 当前型号
AON6407 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 P-Channel -30V 25V -85A 83W 4.5mΩ@10V

¥2.904 

阶梯数 价格
20: ¥2.904
100: ¥2.332
229 对比
IRF9383MTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.1W(Ta),113W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 2.9mΩ@22A,10V P-Channel 30V 22A DIRECTFET™ MX

暂无价格 0 对比
AON6407 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 P-Channel -30V 25V -85A 83W 4.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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