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IRFB4620PBF  与  STP20NF20  区别

型号 IRFB4620PBF STP20NF20
唯样编号 A-IRFB4620PBF A3-STP20NF20
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 72.5mΩ -
上升时间 22.4ns -
Qg-栅极电荷 25nC -
栅极电压Vgs 20V -
正向跨导 - 最小值 37S -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 25A -
配置 Single -
长度 10mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 14.8ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V -
高度 15.65mm -
漏源极电压Vds 200V -
Pd-功率耗散(Max) 144W -
典型关闭延迟时间 25.4ns -
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
典型接通延迟时间 13.4ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 3,900
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4620PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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