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IRFB4410ZPBF  与  FDP3632  区别

型号 IRFB4410ZPBF FDP3632
唯样编号 A-IRFB4410ZPBF A32-FDP3632
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 100 V 9 mO 83 nC Flange Mount Hexfet Power Mosfet - TO-220AB Single N-Channel 100 V 310 W 110 nC PowerTrench Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 310W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@58A,10V 9 毫欧 @ 80A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 310W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 97A 12A(Ta),80A(Tc)
系列 HEXFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V 6000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V 6000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 25
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥6.6764
25+ :  ¥6.1819
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1: ¥1.7021
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40 对比
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TO-220AB TO-220-3

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
25 对比

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