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IRFB4127PBF  与  IRFB38N20D  区别

型号 IRFB4127PBF IRFB38N20D
唯样编号 A-IRFB4127PBF A-IRFB38N20D
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@44A,10V 54mΩ
上升时间 18ns -
Qg-栅极电荷 100nC -
栅极电压Vgs ±20V 30V
正向跨导 - 最小值 79S -
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 76A 44A
配置 Single -
Ptot max - 320.0W
长度 10mm -
QG - 60.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 22ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5380pF @ 50V -
高度 15.65mm -
Budgetary Price €€/1k - 0.72
RthJC max - 0.47K/W
漏源极电压Vds 200V 200V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 375W -
典型关闭延迟时间 56ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 28.0nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5380pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
典型接通延迟时间 17ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4127PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 76A 20mΩ@44A,10V ±20V 375W N-Channel

暂无价格 1,000 当前型号
IRFB38N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFB38N20D Infineon  数据手册 功率MOSFET

54mΩ 200V TO-220 N-Channel 30V 44A

暂无价格 0 对比
IRFB4227PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 330W(Tc) 24mΩ@46A,10V -40°C~175°C(TJ) N-Channel 65A 200V TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFB260NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@34A,10V N-Channel 200V 56A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFB42N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 2.4W(Ta),330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 55mΩ@26A,10V N-Channel 200V 44A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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